N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and micro solar inverter.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 100 V
额定电流 61.0 A
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.88 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 61.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 2880pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB3652 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB3672 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB3652和FDB3672的区别 |
FDB3652_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB3652和FDB3652_F085的区别 |
HUF76639S3S 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB3652和HUF76639S3S的区别 |