FDD3860参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD3860中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 3.8 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6.2A

输入电容Ciss 1740pF @50VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDD3860

型号： FDD3860

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 V

替代型号FDD3860