FQP20N06

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FQP20N06概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP20N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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11.5nC Typical low gate charge
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25pF Typical low Crss
FQP20N06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 53 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 590pF @25VVds

额定功率Max 53 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 53 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FQP20N06
型号: FQP20N06
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP20N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FQP20N06
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP20N06

Fairchild 飞兆/仙童

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