FDMA8884

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FDMA8884概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 30V 6.5A Ta, 8A Tc 1.9W Ta Surface Mount 6-MicroFET 2x2


得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin MicroFET EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin MicroFET EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin MicroFET EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2


FDMA8884中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 450pF @15VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MicroFET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 MicroFET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMA8884
型号: FDMA8884
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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