FQB7N20LTM

FQB7N20LTM图片1
FQB7N20LTM图片2
FQB7N20LTM图片3
FQB7N20LTM图片4
FQB7N20LTM图片5
FQB7N20LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 6.50 A

漏源极电阻 750 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

上升时间 125 ns

输入电容Ciss 500pF @25VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB7N20LTM
型号: FQB7N20LTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 6.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB7N20LTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB7N20LTM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQB7N20L

飞兆/仙童

功能相似

FQB7N20LTM和FQB7N20L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台