FDD1600N10ALZD

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FDD1600N10ALZD概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

* R DSon = 124 m Ω Typ. @ V GS = 10 V, I D = 3.4 A * R DSon = 175 m Ω Typ. @ V GS = 5.0 V, I D = 2.1 A * Low Gate Charge Typ. 2.78 nC * Low C rss Typ. 2.04 pF * Fast Switching * 100% Avalanche Tested * Improved dv/dt Capability * RoHS Compliant


得捷:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L


立创商城:
N沟道 100V 6.8A


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin4+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin4+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L


FDD1600N10ALZD中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 14.9 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 6.8A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 225pF @50VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 14.9W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-252-5

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD1600N10ALZD
型号: FDD1600N10ALZD
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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