FJP13009TU

FJP13009TU图片1
FJP13009TU图片2
FJP13009TU图片3
FJP13009TU图片4
FJP13009TU图片5
FJP13009TU图片6
FJP13009TU图片7
FJP13009TU图片8
FJP13009TU图片9
FJP13009TU图片10
FJP13009TU图片11
FJP13009TU图片12
FJP13009TU图片13
FJP13009TU图片14
FJP13009TU图片15
FJP13009TU中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 8 @5A, 5V

额定功率Max 100 W

直流电流增益hFE 8

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJP13009TU
型号: FJP13009TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE
替代型号FJP13009TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJP13009TU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FJP13009H2TU

飞兆/仙童

类似代替

FJP13009TU和FJP13009H2TU的区别

MJE13009G

安森美

功能相似

FJP13009TU和MJE13009G的区别

MJE13009

安森美

功能相似

FJP13009TU和MJE13009的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台