FQU2N100TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 1.60 A
漏源极电阻 7.10 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 7.57 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQU2N100TU
型号： FQU2N100TU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FQU2N100TU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQU2N100TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP34N20L 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQU2N100TU和FQP34N20L的区别 |