FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V
The is a N-channel Logic level MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
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- Low gate charge
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- Fast switching speed
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
额定电压DC 30.0 V
额定电流 46.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0077 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 1.23 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 56W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6690A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD30NF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD6690A和STD30NF03LT4的区别 |
STD40NF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD6690A和STD40NF03LT4的区别 |