FDMC7672S参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDMC7672S中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14.8A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2520pF @15VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMC7672S

型号： FDMC7672S

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FDMC7672S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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