FQB7N20TM

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FQB7N20TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 6.60 A

极性 N-CH

耗散功率 3.13W Ta, 63W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 6.60 A

输入电容Ciss 400pF @25VVds

耗散功率Max 3.13W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB7N20TM
型号: FQB7N20TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 6.6A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB7N20TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB7N20TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

F6-20

摩托罗拉

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