FDC86244概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 150 V, 0.113 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in load switch, synchronous rectifier and primary switch applications.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
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- Fast switching speed
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- 100% UIL tested
FDC86244中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.113 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 1.4 ns
输入电容Ciss 345pF @75VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDC86244
型号： FDC86244
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 150 V, 0.113 ohm, 10 V, 2.5 V