FJI5603DTU

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FJI5603DTU中文资料参数规格
技术参数

频率 5 MHz

极性 NPN

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 800 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 20 @400mA, 3V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FJI5603DTU
型号: FJI5603DTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor

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