FQD30N06TM参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FQD30N06TM图片1

FQD30N06TM图片2

FQD30N06TM图片3

FQD30N06TM图片4

FQD30N06TM图片5

FQD30N06TM中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 22.7A

输入电容Ciss 945pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD30N06TM

型号： FQD30N06TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号FQD30N06TM

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQD30N06TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQD30N06TF

飞兆/仙童

类似代替

FQD30N06TM和FQD30N06TF的区别

FQD30N06

飞兆/仙童

功能相似

FQD30N06TM和FQD30N06的区别