FDMC8854中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.0044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 3405pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDMC8854
型号： FDMC8854
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。