FQP12P10

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FQP12P10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -11.5 A

通道数 1

漏源极电阻 290 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.5 A

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQP12P10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET

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