FQD10N20LTM

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FQD10N20LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 7.60 A

通道数 1

漏源极电阻 290 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.60 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 830pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 51W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD10N20LTM
型号: FQD10N20LTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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