FDD3510H中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 4.3A/2.8A
输入电容Ciss 800pF @40VVds
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TO-252-5
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDD3510H
型号： FDD3510H
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FDD3510H 系列 80 V 80 mOhm 双 N/P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252