FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS89161 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET, Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
欧时:
### PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS89161 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
富昌:
Dual N-Channel 100 V 2.7 A 105 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
针脚数 8
漏源极电阻 0.086 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 2.7A
上升时间 1.3 ns
输入电容Ciss 210pF @50VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 1.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4 mm
宽度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15