FDD850N10LD

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FDD850N10LD概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 100V 15.3A Tc 42W Tc Surface Mount TO-252-4


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MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4


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Trans MOSFET N-CH 100V 15.3A 5-Pin4+Tab DPAK T/R


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MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK


FDD850N10LD中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 15.3A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 1465pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-252-5

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD850N10LD
型号: FDD850N10LD
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD850N10LD
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FDD850N10LD

Fairchild 飞兆/仙童

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安森美

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