FDP65N06

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FDP65N06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 65.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

阈值电压 2 V

输入电容 5.52 nF

栅电荷 69.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 65.0 A

上升时间 94 ns

输入电容Ciss 2170pF @25VVds

额定功率Max 135 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 135W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP65N06
型号: FDP65N06
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP65N06  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 65A, TO-220
替代型号FDP65N06
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP65N06

Fairchild 飞兆/仙童

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STP60NF06

意法半导体

功能相似

FDP65N06和STP60NF06的区别

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