FQP24N08参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP24N08概述

80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

N-Channel 80V 24A Tc 75W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3

贸泽:
MOSFET 80V N-Channel QFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 80V 24A TO-220

FQP24N08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 24.0 A

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP24N08

型号： FQP24N08

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

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替代型号FQP24N08

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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