N沟道的PowerTrench ？ MOSFET的25 V ， 5.7毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ
N-Channel 25 V 20A Ta, 40A Tc 3.7W Ta, 42W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
立创商城:
N沟道 25V 40A 20A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
DeviceMart:
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1780pF @13VVds
额定功率Max 3.7 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.7W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6796A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6796 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6796A和FDD6796的区别 |