FDW2601NZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.20 A
漏源极电阻 15.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.60 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 8.20 A
输入电容Ciss 1840pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDW2601NZ
型号： FDW2601NZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号FDW2601NZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDW2601NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDW2601NZ_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDW2601NZ和FDW2601NZ_NL的区别 |