ESBC™ 功率晶体管，Fairchild Semiconductor双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™（发射器开关双极/MOSFET 共源栅极）以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容，因此提升了效率、灵活性和稳健性，并且最大限度地降低了驱动功率。### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor NPN 800V 5A 15MHz 40W Through Hole TO-220F
得捷:
TRANS NPN 800V 5A TO220F-3
欧时:
### ESBC™ 功率晶体管，Fairchild Semiconductor双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™（发射器开关双极/MOSFET 共源栅极）以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容，因此提升了效率、灵活性和稳健性，并且最大限度地降低了驱动功率。### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 5A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 800V 5A 3-Pin TO-220F Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
极性 NPN
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 20 @200mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 40 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free