FDMC86259P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 99 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 3.2A
上升时间 3.3 ns
输入电容Ciss 2045pF @75VVds
下降时间 9.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 62W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-33-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FDMC86259P
型号： FDMC86259P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。