FDD6685参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD6685概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 V

The is a P-channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench® process, fast switching speed and high performance trench technology for extremely low RDSON.

.: Fast switching

.: ±20V Gate-source voltage

.: High power and current handling capability

.: AEC-Q101 Qualified

FDD6685中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -40.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

输入电容 1.71 nF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids -40.0 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1715pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6685

型号： FDD6685

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 V

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替代型号FDD6685

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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