PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® P 通道 MOSFET， Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
欧时:
Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDMC86265P, 1 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
艾睿:
MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet Learn More
Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 1A 8-Pin MLP EP T/R
极性 P-CH
耗散功率 2.3W Ta, 16W Tc
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 2.2 ns
输入电容Ciss 210pF @75VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 16W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅