FDD86569_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150000 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2520pF @30VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FDD86569_F085
型号： FDD86569_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R