N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
得捷:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
欧时:
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6N50TM, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
FDD6N50 系列 500 V 0.9 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet D-PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 760 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
额定功率Max 89 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD6N50TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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FDD6N50TM_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6N50TM和FDD6N50TM_F085的区别 |
FDD6N50TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6N50TM和FDD6N50TF的区别 |