FDD6N50TM

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FDD6N50TM概述

N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。


得捷:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK


欧时:
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6N50TM, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
FDD6N50 系列 500 V 0.9 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet D-PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK


FDD6N50TM中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 760 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

额定功率Max 89 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6N50TM
型号: FDD6N50TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD6N50TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD6N50TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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飞兆/仙童

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