FQD12P10TM_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9.4A
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FQD12P10TM_F085
型号： FQD12P10TM_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD12P10TM_F085
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD12P10TM_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD050N03B 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD12P10TM_F085和FDD050N03B的区别 |