FQPF19N10参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF19N10概述

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

N-Channel 100 V 13.6A Tc 38W Tc Through Hole TO-220F-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

FQPF19N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 19.0 A

通道数 1

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 13.6 A

输入电容Ciss 780pF @25VVds

额定功率Max 38 W

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.9 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF19N10

型号： FQPF19N10

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

替代型号FQPF19N10