FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6575 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV
The is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications with a wide range of gate drive voltage 2.5 to 8V.
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High current and power handling capability
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -10.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 4.95 nF
栅电荷 53.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4951pF @10VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 78 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6575 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
TPS1100D 德州仪器 | 功能相似 | FDS6575和TPS1100D的区别 |
TPS1100DR 德州仪器 | 功能相似 | FDS6575和TPS1100DR的区别 |
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