FDU6N50TU

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FDU6N50TU中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 89 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 940pF @25VVds

额定功率Max 89 W

下降时间 35 ns

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FDU6N50TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

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