FQU4N20TU

FQU4N20TU图片1
FQU4N20TU图片2
FQU4N20TU图片3
FQU4N20TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 1.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

输入电容Ciss 220pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQU4N20TU
型号: FQU4N20TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin3+Tab IPAK Rail
替代型号FQU4N20TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQU4N20TU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQU7N20TU

飞兆/仙童

类似代替

FQU4N20TU和FQU7N20TU的区别

IRFU210PBF

Vishay Siliconix

功能相似

FQU4N20TU和IRFU210PBF的区别

IRFU210

Vishay Siliconix

功能相似

FQU4N20TU和IRFU210的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台