FQB17N08LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 16.5 A
极性 N-CH
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 16.5 A
上升时间 290 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
下降时间 75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FQB17N08LTM
型号： FQB17N08LTM
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB17N08LTM
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQB17N08LTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB17N08TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB17N08LTM和FQB17N08TM的区别 |