PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process.
- .
- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
- .
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- .
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- .
- Fast switching speed
- .
- 100% UIL tested
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1035pF @50VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD86102 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD050N03B 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD86102和FDD050N03B的区别 |
STD40NF10 意法半导体 | 功能相似 | FDD86102和STD40NF10的区别 |
IPD25CN10NGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDD86102和IPD25CN10NGATMA1的区别 |