QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies,
audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Features
• -11.4 A, -60 V, RDSon = 175 mΩ Max @VGS = -10 V,ID = -5.7 A
• Low Gate Charge Typ. 13 nC
• Low Crss Typ. 45 pF
• 100% Avalanche Tested
• 175°C Maximum Junction Temperature Rating
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -11.4 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 11.4 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 53W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99