FQPF8P10概述
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
P-Channel 100V 5.3A Tc 28W Tc Through Hole TO-220F
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P沟道 100V 5.3A
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MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
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MOSFET 100V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 100V 5.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
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MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
FQPF8P10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -5.30 A
漏源极电阻 530 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 28 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 28 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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