FMB857B

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FMB857B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 700 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 475

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.68 mm

高度 1.12 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FMB857B
型号: FMB857B
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

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