FDT86244中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.106 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.2 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 2.8A
上升时间 1.3 ns
输入电容Ciss 395pF @75VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 6.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买FDT86244
型号： FDT86244
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 150 V, 0.106 ohm, 10 V, 3.1 V