FDD6635中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
漏源极电压Vds 35 V
漏源击穿电压 35.0 V
连续漏极电流Ids 59.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1400pF @20VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 55W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDD6635
型号： FDD6635
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD6635
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6635 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |