FDB3502中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 815pF @40VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDB3502
型号： FDB3502
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。