FQPF2N70

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FQPF2N70概述

700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET

N-Channel 700V 2A Tc 28W Tc Through Hole TO-220F


得捷:
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F


FQPF2N70中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 2.00 A

漏源极电阻 6.30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF2N70
型号: FQPF2N70
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET

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