FDMS7670AS

FDMS7670AS图片1
FDMS7670AS图片2
FDMS7670AS图片3
FDMS7670AS图片4
FDMS7670AS图片5
FDMS7670AS图片6
FDMS7670AS图片7
FDMS7670AS图片8
FDMS7670AS图片9
FDMS7670AS图片10
FDMS7670AS图片11
FDMS7670AS图片12
FDMS7670AS图片13
FDMS7670AS图片14
FDMS7670AS图片15
FDMS7670AS图片16
FDMS7670AS图片17
FDMS7670AS图片18
FDMS7670AS概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7670AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 V

The is a SyncFET™ N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS ON while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. It is suitable as synchronous rectifier for DC-to-DC converter.

.
Advanced package and silicon combination for low RDS ONand high efficiency
.
MSL1 Robust package design
.
100% UIL tested
FDMS7670AS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 65 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4225pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS7670AS
型号: FDMS7670AS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7670AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 V
替代型号FDMS7670AS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMS7670AS

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDMS8660S

飞兆/仙童

类似代替

FDMS7670AS和FDMS8660S的区别

BSC030N03LSGATMA1

英飞凌

功能相似

FDMS7670AS和BSC030N03LSGATMA1的区别

BSC0902NSIATMA1

英飞凌

功能相似

FDMS7670AS和BSC0902NSIATMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台