FDMC8622

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FDMC8622概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8622  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin Power 33 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8622  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 4A POWER33


FDMC8622中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0437 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 2.9 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 1.6 ns

输入电容Ciss 402pF @50VVds

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMC8622
型号: FDMC8622
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8622  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V
替代型号FDMC8622
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMC8622

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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SI7812DN-T1-E3

威世

功能相似

FDMC8622和SI7812DN-T1-E3的区别

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