FQPF5N30参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF5N30概述

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

N-Channel 300 V 3.9A Tc 35W Tc Through Hole TO-220F-3

立创商城:
N沟道 300V 3.9A

得捷:
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 3.9A 3-Pin3+Tab TO-220F

FQPF5N30中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 3.90 A

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

输入电容Ciss 430pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQPF5N30

型号： FQPF5N30

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

立即咨询

替代型号FQPF5N30

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQPF5N30 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQPF7N30 飞兆/仙童	功能相似	FQPF5N30和FQPF7N30的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQPF5N30

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

FQPF7N30

飞兆/仙童

功能相似

FQPF5N30和FQPF7N30的区别