FQPF11P06参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF11P06中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -11.4 A

漏源极电阻 175 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 8.30 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF11P06

型号： FQPF11P06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

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替代型号FQPF11P06

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQPF11P06 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQPF17P06 飞兆/仙童	类似代替	FQPF11P06和FQPF17P06的区别
STF12PF06 意法半导体	功能相似	FQPF11P06和STF12PF06的区别
SFS9Z34 飞兆/仙童	功能相似	FQPF11P06和SFS9Z34的区别