FDMC8200

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FDMC8200中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 660pF @15VVds

额定功率Max 700mW, 900mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.8 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMC8200
型号: FDMC8200
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8200  场效应管, MOSFET, N沟道, 8A, 30V

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