PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8896_F085, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 5.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 106 ns
输入电容Ciss 2525pF @15VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDD8896_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8896 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8896_F085和FDD8896的区别 |